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现在经常用到flash。 根据技术不同可以分为：nan和nor两种。 老是忘记怎么回事。 找点资料总结下。 ——————— NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。  NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 ● NOR的读速度比NAND稍快一些。 ● NAND的写入速度比NOR快很多。 ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 ● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 接口差别 NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。 NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。 容量和成本 NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。 NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。 可靠性和耐用性 采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。 寿命(耐用性) 在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。 位交换 所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。 一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。 当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。 这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。 坏块处理 NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。 NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。 易于使用 可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。 [...]

第一次用5416，首先面对的就是内存的分配。 让我们先看看我们什么资源？ 片内：64k的SARAM，64k的DARAM； 片外：一般有flash、sram等。 我们怎么访问这些资源呢？ 数据空间：范围64k：0-0×10000； 程序空间：0-0x7FFFFF； IO空间：0-0×10000。 到这里，混乱了，我们怎么操作我们想操作的内存？？ 我当时迷茫了，不知道该怎么办。 查阅文献后发现，根本不用担心。因为，Ti已经完全给我们分配好了。我们根本没有这么大权利操作内存，我们只能根据Ti给我们的选项使用内存。 Ti给我们的选项是有限的，很容易理解。就由PMST寄存器的3个位控制。 MP/MC、OVLY、DROM，具体描述如下：   具体分配： IO空间 最简单的是IO空间： 范围：0×0-0xFFFF，可以任意访问。 如何访问呢？ 在CCS中定义变量： ioport port8000; //访问IO空间 port8000=1; //写IO空间 data=port8000; //读IO空间 数据空间 也很简单，只有两种可能性： 1、全部映射DARAM； 2、高32k映射到外部存储器。 程序空间 程序空间稍微复杂一点点，不过也不是大问题。 低32K只会映射DARAM的低32K，或者外部存储器。 高32K只有Page1、2、3可以映射到DARAM高32K、SARAM低32K、DARAM高32K。其他一直可以映射到外部存储器。 另外，MP和MC模式稍有不同。 欢迎大家留言交流。

近期一直在调一块Dsp的板子，用的是5416。第一次使用54系列的DSP出了一些问题，通过不断的学习ti文档、google、百度，终于基本解决了问题。把调试遇到的问题和解决方案小节一下，自己理理思路，能给其他刚刚开始使用dsp的同学提高的参考当然更好了。 目标： 1、充分利用dsp内存。5416中有64K的SARAM和64K的DARAM。由于项目的数据量比较大，准备把DARAM全部用作数据存储器。 2、开启外部中断和定时器中断各一个。 调试过程： 1、CCS的各种文件理解： 一直对ccs的各种文件作用不太了解，这次认真的看了下资料。应该理解的差不多了。 详情参见：《Ti DSP中的各种文件解析》 2、内存映射： 对内存映射也一直有恐惧心理，经过这次调试，也终于清晰了。 详情参见：《ti dsp 5416 的内存映射》 3、中断应用： 详情参见：《Ti的DSP中断向量表设置的2种方法》

来源：TMS320C54x Chip Support Library API Reference Guide的第十章中断模块。 程序很清晰，利用csl库，看起来很简单。唉，之前一直在网上查找相关资料，五花八门的，看着晕，也没有解决问题。看来还是官方资料靠谱一点。就是官方资料多了点。需要一本本找。 标注为作者添加。 #define NVECTORS 256  //中断向量表大小，为什么默认为128，这里是256？？ #pragma DATA_SECTION (myIvtTable, ”myvec”)  //将表分配到CMD声明的相应位置 int myIvtTable[NVECTORS];  //创建中断向量表 ; … interrupt void myIsr(); ; … main (){ ; … ; Option 1: use Event IDs directly  //方法一：直接用时间ID插入中断向量表。 ; … IRQ_setVecs ((Uint16)myIvtTable); IRQ_plug (IRQ_EVT_TINT0,&myIsr); IRQ_enable(IRQ_EVT_TINT0); IRQ_globalEnable(); ; … ; Option 2: Use the [...]

在MCU/ARM/DSP中，都有1个启动过程，这里主要设计复位及中断的入口问题。 所以它们基本都有启动文件的支持，使程序上电后自动进入正确的程序位置及地址。 复位及中断的入口具有多个间隔固定的程序空间，它们可以是单独的跳转地址 及函数指针，如ARM的中断向量表。也可是一块小的固定程序空间，如51的n*8+3和DSP5402的4字。 DSP5402和51略有不同，它在硬件复位时bootloader将中断向量表映射到ROM的0xFF80处。 但我们实际运行时，中断入口是允许改变的，而且每个程序的中断地址和个数都是不同的。 故需要动态地改变中断向量表。 DSP5402在硬件复位时中断向量表存在SREGs.PMST.IPTR中，步进(大小)0×80. SREGs.PMST.IPTR初始化为0b11111111 1,故中断向量表在0xff80处。 我喜欢将其动态映射到0×0080处，因为寄存器在0×00~0x5f,0×60~0x7f处。 这样连续，RAM程序可从0×100开始装载。 所以我们要做至少2方面的工作： 1.修改SREGs.PMST.IPTR //设置0×0080为中断向量表首址，在第2个128页内。     SREGs.PMST.Regs = (0×01 << PMST_IPTR) | (1 << PMST_MP_MC) | (1 << PMST_OVLY); 2.初始化中断向量表 在C语言的启动文件中，我们只需将中断向量表看成普通数组即可，因为CCS具有地址绝对定位功能。 这样我们就可以很方便地将中断向量表绝对定位到我们需要定位的位置。 在CCS中想绝对定位，必须修改CMD文件。 例如： MEMORY  { /*(R读 W写 X运行 I初始化)*/     PAGE 0: /* Program Space */         MMRS    (RWIX) : o="000000h" l="000060h" /* Memory-mapped [...]